内部集成650V高压MOSFET
集成高压启动和自供电电路
低待机功耗<100mW
优异的动态响应速度,输出电压纹波幼
优良的负载调整率和线性调整率
降低音频噪声的降幅调造技术
自适应开关频率,最高45KHz
改善EMI机能的频率调造技术
内置软启动职能
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